高效率,快速å“应,3A,40Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效率,60V输入,3A异æ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效,8.0A 40Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效快速å“应,9A连ç»ï¼Œ14A峰值,28Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹åž‹ç¨³åŽ‹å™¨ï¼Œå…·æœ‰Â±1A VTT LDO和±10mA缓冲基准
具有VDDQ LDO的高效快速å“应,9A,28Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹åž‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效快速å“应,10A,28Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹åž‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效快速å“应,11A,28Vè¾“å…¥åŒæ¥é™åŽ‹åž‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效,16V / 20AåŒæ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨
用于 DDR 终端的 6A è¿žç»æ‹‰ç”µæµæˆ–çŒç”µæµåŒæ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨
高效1.5MHz,3A超快速动æ€å“åº”åŒæ¥é™åŽ‹ç¨³åŽ‹å™¨Â